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USB3.0案例，TVS對眼圖的影響
- 編者注：本文轉(zhuǎn)載自NXP的應(yīng)用文章。1. USB 接口演進歷史1996 年，眾所周之的通用串行接口（USB）初次問世。當時，版本 1.0 的 USB 接口僅可在低速（LS）模式和全速（FS）模式下，分別提供 1.5 Mb/s 和 12 Mb/s 的速率。2000 年， USB2.0 面市。新的高速（HS）模式可提供高達 480 Mb/s 的速率，并且依然向下兼容低速模式和全速模式。2. USB3.0 系統(tǒng)概述2008 年 11 月， USB3.0 技術(shù)規(guī)范發(fā)布。USB3.0 不僅包含了 USB2.0 的全
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TVS 管性能及選型
- 一．TVS 管概述TVS（Transient Voltage Suppressor）瞬態(tài)電壓抑制器。當兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，能以 10 的負 12 次方秒量級的速度，將兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，使兩極間的電壓箝位于一個預(yù)定值，有效地保護電子線路中的精密元器件。在浪涌電壓作用下，TVS 兩極間的電壓由額定反向關(guān)斷電壓 VWM 上升到擊穿電壓 VBR，而被擊穿，隨著擊穿電流的出現(xiàn)，流過 TVS 的電流將達到峰值脈沖電流 IPP，同時在其兩端的電壓被鉗位到預(yù)定的最大鉗位電壓 VC 以下，其后，隨著脈沖電
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TVS防護電路的典型應(yīng)用
- TVS瞬態(tài)電壓抑制二極管原理應(yīng)用特性瞬態(tài)抑制二極管(TVS)又叫鉗位型二極管，是目前國際上普遍使用的一種高效能電路保護器件，它的外型與普通二極管相同，但卻能吸收高達數(shù)千瓦的浪涌功率。它的主要特點是在反向應(yīng)用條件下，當承受一個高能量的大脈沖時，其工作阻抗立即降至極低的導(dǎo)通值，從而允許大電流通過，同時把電壓鉗制在預(yù)定水平，其響應(yīng)時間僅為10-12毫秒，因此可有效地保護電子線路中的精密元器件。TVS允許的正向浪涌電流在TA＝250C，T＝10ms條件下，可達50～200A。雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈
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技術(shù)淺談】TVS的選型計算你做對了嗎?（續(xù)）
- 俗話說“書接上回”，那么再寫個續(xù)集吧！細心的朋友可能會發(fā)現(xiàn)，上一篇寫的計算方法針對的是單次的浪涌，比如Surge test一般兩次浪涌之間會有30~60 s的間隔時間，這意味著TVS有足夠的時間去把吸收的浪涌能量給耗散掉，不會因為熱累積而導(dǎo)致TVS溫度過高而損壞。但是，現(xiàn)實中還有一些情況是會有重復(fù)浪涌的。比如下圖，MOSFET作為低邊開關(guān)來控制感性負載L，MOSFET會由PWM控制進行周期性的開關(guān)，每次關(guān)斷（turn off）時，L都會因為反向的感應(yīng)電動式E而產(chǎn)生一個尖峰電壓Vspike。Vspike =
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【技術(shù)淺談】TVS的選型計算你做對了嗎？
- 技術(shù)淺談?wù)f起 Littelfuse TVS 二極管，可謂歷史悠久，是 Littelfuse 最具特色與核心價值產(chǎn)品之一，目前出貨量排名全球首位。 Littelfuse TVS二極管家族十分龐大，覆蓋小功率到大功率的產(chǎn)品，用于保護半導(dǎo)體器件免受高電壓瞬變損害，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、汽車電子、航空設(shè)備等市場，其性能在業(yè)內(nèi)出類拔萃，可圈可點。以下是 Littelfuse 應(yīng)用工程師在長期與客戶合作中積累的一些 TVS 選型問
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TVS選型指南
- 提到TVS，大部分電子工程師基本都知道是用來端口防護的，防止端口瞬間的電壓沖擊造成后級電路的損壞。今天我們就一起了解一下TVS如何選型。01工作原理TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個 PN 結(jié)或多個 PN 結(jié)集成的器件。TVS 有單向與雙向之分，單向 TVS 一般應(yīng)用于直流供電電路，雙向 TVS 應(yīng)用于電壓交變的電路。如圖 1 所示，應(yīng)用于直流電路時單向 TVS 反向并聯(lián)于電路中，當電路正常工作時，TVS
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MOS 管的死區(qū)損耗計算
- MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET 為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同時導(dǎo)通，就會導(dǎo)致電源短路，ＭOS 管會損壞，甚至時電源損壞，這種損壞是災(zāi)難行動，必須避免．由于MOS 的開通和關(guān)斷都是有時沿的，為了避免上管和下管同時導(dǎo)通，造成短路現(xiàn)象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時關(guān)斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
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如何根據(jù)額定電壓為 RS-232、RS-485 和 CAN 選擇 TVS 二極管
- 在許多工業(yè)和汽車應(yīng)用中，保護接口收發(fā)器免受各種電過應(yīng)力事件的影響是一個主要問題。瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管常用于上述用途，因為它們可以通過生成低阻抗電流路徑來鉗制電壓尖峰。TVS 二極管的電氣特性由幾個工藝因素決定。這些參數(shù)與 TVS 電壓、電流和額定功率相關(guān)，具有多種多樣的數(shù)值，以適應(yīng)各種應(yīng)用。但通過查看元件數(shù)據(jù)表，就會發(fā)現(xiàn)選型并不簡單。在本文中，我將討論電壓參數(shù)并展示哪種 TVS 二極管適用于 RS-232、RS-485&n
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TVS之ESD波形圖分析
- 我們都知道，TVS產(chǎn)品的主要作用之一就是用來吸收ESD能量并鉗位，保護我們的后級芯片或電路不受其沖擊影響。所以我們在選型的時候需要特別關(guān)注的一點，就是TVS的ESD鉗位參數(shù)。其鉗位參數(shù)的重要性我們在之前的文章中都有提過了，今天我們就和大家一起聊聊ESD的波形圖的一些事兒。01 IEC 標準ESD波形圖ESD波形ESD波形參數(shù)IEC 61000-4-2中明確規(guī)定了ESD的波形圖及其參數(shù)，如圖所示。其上升時間非?？?，第一個尖峰在0.7~1ns之間，第二個尖峰在30ns，而整個事件持續(xù)時間為60ns。ESD事件
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Diodes 公司推出節(jié)省空間的TVS
- 【2023 年 4 月 6 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出新款雙向瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管，以滿足市場妥善保護高速數(shù)據(jù)端口的需求。D3V3Z1BD2CSP 以滿足保護靜電放電 (ESD) 沖擊和突波事件。這款產(chǎn)品的主要應(yīng)用為高效能運算硬件、智能型手機、筆記本電腦和平板電腦、顯示器及游戲機的 I/O 端口。雖然許多競爭產(chǎn)品必須在設(shè)計上做出折衷，擇一選擇強大的突波保護特性或低輸入電容，D3V3Z1BD2CSP 可以同時提出這兩項優(yōu)點。它
- 關(guān)鍵字： Diodes TVS ESD 突波保護
防靜電和浪涌TVS layout設(shè)計要點
- 剛看過了CES2023，雷卯的外貿(mào)伙伴們看了最新的AR,VR,5G產(chǎn)品，新的電子產(chǎn)品更智能、更復(fù)雜，嵌入了脆弱和敏感的集成電路。這些設(shè)備的環(huán)境往往很惡劣，產(chǎn)生高水平靜電和快速瞬態(tài)浪涌。這些ESD事件可能會干擾設(shè)備，從故障到集成電路的破壞。電子產(chǎn)品精密化剛看過了CES2023，雷卯的外貿(mào)伙伴們看了最新的AR,VR,5G產(chǎn)品，新的電子產(chǎn)品更智能、更復(fù)雜，嵌入了脆弱和敏感的集成電路。這些設(shè)備的環(huán)境往往很惡劣，產(chǎn)生高水平靜電和快速瞬態(tài)浪涌。這些ESD事件可能會干擾設(shè)備，從故障到集成電路的破壞。將這些問題最小化的最
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TVS在汽車拋負載應(yīng)用選型設(shè)計
- TVS作為浪涌抑制器，其應(yīng)用涉及到通信與電源回路的方方面面，因為太過普遍，很多應(yīng)用都是參考或延用過往設(shè)計，只知其保護效果而不知其根源，本章通過對于拋負載TVS選型計算展開分析，為新項目設(shè)計提供思路，該計算方式同樣適用于工業(yè)TVS選型應(yīng)用。TVS二極管，既瞬態(tài)抑制二極管，又叫雪崩擊穿二極管，其工作原理與核心參數(shù)在上一章TVS簡介中已經(jīng)充分展開說明，有需要可以另行閱讀。TVS的選型開始之前首先要了解一些條件： 1. 回路最高工作電壓Vop。2. 后級電路所能承受的最大電壓尖峰Vpk。3. 該電路的工
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Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品，實現(xiàn)嚴苛環(huán)境下出色的電路保護
- 航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數(shù)字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復(fù)雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護。即便有閃電、太陽活動和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰，系統(tǒng)仍必須保持連續(xù)運行。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。?該3kW二極管系列擁有超過25款產(chǎn)品，具有不同的篩選級別、極性和認證標
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ST推出瞬壓抑制二極管，更小封裝帶來更強的保護功能
- 意法半導(dǎo)體推出最新一代瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管，具有市場領(lǐng)先的功率密度，SMB Flat封裝的額定功率為600W，瞬態(tài)功率高達1500W，僅1.0mm厚的SMA Flat封裝的額定功率和瞬態(tài)功率分別為400W和600W。意法半導(dǎo)體的新1500W SMB Flat封裝不只是薄，瞬態(tài)功率與傳統(tǒng)SMC封裝器件相當，而封裝面積不足傳統(tǒng)SMC封裝的一半。400W和600W SMA Flat和SMB Flat產(chǎn)品的封裝面積與可替代的傳統(tǒng)SMA和SMB封裝產(chǎn)品完全兼容。漏電流是市場上其它廠家TVS二極管的五分之一，
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